PN接面二極體之特性分析與溫度效應

📝 歷屆考古題

• 114年 moea_joint 第46題
  若溫度每增高 10 °C，矽二極體的逆向飽和電流 $I_s$ 值會增為 2 倍，則當溫度增高 40 °C 時，$I_s$ 會增為多少倍？
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• 112年 moea_joint 第27題
  有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 $18 ^\circ\text{C}$時($V_T = 25$ mV)，其逆向偏壓的飽和電流為 $I_S = 2 \times 10^{-14}$ A 且…
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• 112年 moea_joint 第28題
  有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
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• 111年 moea_joint 第26題
  在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？
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• 110年 moea_joint 第26題
  若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 ℃ 時崩潰電壓為 15 V，溫度係數為 0.02 % / ℃，若溫度上升至 60 ℃，求崩潰電壓為何？
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• 110年 moea_joint 第28題
  對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 $I_S$ 的敘述何者有誤？
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• 109年 moea_joint 第26題
  關於 p-n 接面二極體 (p-n junction diode) 之敘述，下列何者有誤？
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• 109年 moea_joint 第44題
  當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
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• 107年 moea_joint 第36題
  已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 $10 ^\circ\text{C}$ 約成為原來之兩倍，在溫度 $25 ^\circ\text{C}$ 時的逆向飽和電流為 3 nA，當逆向飽和電流增加到 24…
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• 106年 moea_joint 第7題
  若一齊納二極體(Zener Diode)在 $25 ^\circ\text{C}$ 時崩潰電壓為 $15\text{ V}$，溫度係數為 $0.02 \%/^\circ\text{C}$，若崩潰電壓升…
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• 106年 moea_joint 第8題
  關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性，下列敘述何者有誤？
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• 105年 moea_joint 第30題
  一理想矽質 PN 介面的二極體，在 $T = 300 \text{ K}$ 時 ($V_T = 26 \text{ mV}$)，其逆向偏壓的飽和電流為 $I_S = 2 \times 10^{-14} \text{ A}$…
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• 105年 moea_joint 第44題
  對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 $I_S$ 的敘述何者有誤？
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• 104年 moea_joint 第14題
  關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
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• 104年 moea_joint 第15題
  一個齊納二極體(Zener Diode)於$25^\circ\text{C}$時，$V_z = 6.8 \text{V}$，其正溫度係數為$0.05 \%/^\circ\text{C}$，求 $80^\circ\text{C}$…
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• 101年 moea_joint 第30題
  某矽質二極體在溫度 20°C 時逆向飽和電流為 5 nA，當溫度為 30°C 時，此二極體逆向飽和電流為何？
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• 101年 moea_joint 第40題
  某一個稽納二極體在 25°C 時崩潰電壓為 10 V，其溫度係數為 0.05\% / °C，當溫度為 61°C 時此稽納二極體之崩潰電壓為何？
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• 100年 moea_joint 第21題
  矽晶接面二極體等效電路模型中的擴散電容(Diffusion Capacitance)，是由下列哪一項的物理現象所形成？
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